SiC用量减少70%！英飞凌又有多项技术创新

特然

可编程逻辑控制器

　　8月28-30日，PCIM Asia 2024展在深圳举行。“行家说”进行了为期2天的探馆，合计报道了200+碳化硅相关参展企业。

　　其中，“行家说”还重点采访了英飞凌等众多企业，深入了解了他们在碳化硅领域的最新技术进展、产品创新以及市场战略。

　　行家说三代半：这次PCIM展会上英飞凌展示了哪些产品?有哪些创新点和优势?

　　英飞凌：这次展会我们特别准备了面向新能源主驱应用的新产品，比如HybridPACK™ Drive G2 Fusion混合模块，这款产品混合了SiC芯片和硅基IGBT芯片，在有效减少SiC模块成本的同时显著提升了模块的应用效率。

　　第二个亮点产品是应用于汽车半导体领域的Chip Embedding，其1200V SiC 芯片可直接嵌入到PCB里，能够最大发挥SiC芯片性能，同时实现了参数的提升，能够更好地应用于新能源汽车主驱里面。

　　行家说三代半：相比友商来说，英飞凌有哪些竞争优势?

　　英飞凌：对比友商而言，英飞凌的优势在于能够提供全方位的解决方案，涵盖SiC、IGBT、GaN等新能源汽车应用解决方案。同时，我们对于前沿的拓扑和应用，有非常深的研究和Know- how，我们可以帮助客户实现新的技术突破和产品性能优化。

　　行家说三代半：您如何看待SiC和GaN的市场前景?英飞凌有哪些最新的车规级合作以及技术进展?

　　英飞凌：第三代半导体SiC和GaN目前是非常热的话题。英飞凌的SiC目前已经大规模上量，特别是在800V平台的应用和新能源汽车的应用上。对于车规级GaN，我们认为会逐步在OBC、DCDC这种需要高开关频率的应用场合逐渐上量。此外，未来三电平拓扑在主驱中会有上升的趋势，未来GaN预计会有更大的市场规模。

　　行家说三代半：您如何看待不同功率半导体在新能源汽车市场的发展前景?

　　英飞凌：电动汽车发展确实是日新月异，目前SiC应用越来越热，800V车型越来越多。根据我们预测，未来400V车型里，IGBT依然是首选，因为它的成本相对低一点。对高性能的车型来说，800V平台是首选，SiC模块、SiC&IGBT混合模块以及SiC半桥模块会是其中的选择方案。

　　行家说三代半：英飞凌如何看混合功率模块的技术优势和发展前景?

　　英飞凌：我们今天展出了HybridPACK™ Drive G2 Fusion混合模块，这个模块用30%左右的SiC芯片并联IGBT芯片，能够满足WLTP条件下70%到80%的工况需求，同时实现效率和性能的提升，而IGBT芯片主要是满足电动汽车的加速性能需求。

　　同时，我们现在推出的750V混合模块，选用了我们最新一代的SiC芯片和最新的IGBT芯片，它们的开关速度是非常契合的。

　　在驱动设计方面，我们可以做到只用单颗、单路驱动IC就可以完全适配这个混合模块，而不需要特别定制的双路驱动芯片。简而言之，我们的混合模块可以直接当做标准品去使用，同时能做到用30%的SiC去达成原来全SiC模块60% ~70%的性能，从而在成本下降的同时，性能依旧比原来IGBT模块略高一些。因此，我们的Fusion模块既能降本又能提升性能，是目前这个时间段很好的产品。